盤面上，兩市高開高走，芯片設計概念上漲。相關ETF方面，科創(chuàng)芯片設計ETF天弘（589070）標的指數盤中漲4.85%，成交額達4052.29萬元；換手率達8.61%。成分股中，普冉股份、中科藍訊、盛科通信-U、杰華特、天德鈺漲超5%，希荻微、艾為電子、樂鑫科技等多股跟漲。

值得關注的是，Wind顯示，科創(chuàng)芯片設計ETF天弘（589070）近3個交易日（2026年6月10日—2026年6月12日）實現連續(xù)“吸金”，最近十個交易日累計獲資金凈流入9600.39萬元。截至2026年6月12日，該基金最新規(guī)模為4.57億元，年初至今規(guī)模增長達4.57億元，為同標的第一。

科創(chuàng)芯片設計ETF天弘（589070）緊密跟蹤科創(chuàng)芯片設計指數，該指數近一年漲幅達102.61%，其行業(yè)配置主要包括半導體（95.6%）、軍工電子Ⅱ（3.74%）、軟件開發(fā)（0.66%）等，前五大成分股為瀾起科技、寒武紀、海光信息、佰維存儲、芯原股份。該ETF還配備了2只場外聯(lián)接基金（A類：027574；C類：027575）。

消息面上，據湖北江城實驗室消息，我國成功研制出三維多層片上電容，電容密度突破每平方毫米1000納法，目前相關技術已進入試產階段。

中信建投認為，AI算力需求爆發(fā)正推動芯片設計向定制化與協(xié)同創(chuàng)新演進。設計環(huán)節(jié)需與制造、封裝深度協(xié)同，尤其關注先進制程與先進封裝結合，以應對高性能計算芯片的復雜需求。隨著2027~2028年產能逐步釋放，具備全棧技術整合能力的芯片設計企業(yè)將迎來新一輪增長機遇。