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半導(dǎo)體設(shè)備自主替代進(jìn)入加速期,半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰(159516)大漲2%

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-06-17 11:17:34

Bernstein最新發(fā)布的2025年中國晶圓制造設(shè)備(WFE)競爭格局報(bào)告顯示,2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率從2024年的16%躍升至21%,刻蝕、薄膜沉積、摻雜、過程控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均實(shí)現(xiàn)顯著突破。與此同時(shí),存儲超級周期驅(qū)動(dòng)國內(nèi)晶圓廠大幅上修未來幾年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,國產(chǎn)替代從“去美化”邁入“全鏈路自主”新階段,半導(dǎo)體設(shè)備正迎來份額提升與工藝升級的雙擊。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰(159516)大漲2%,連續(xù)3日凈流入超16億元,盤中流入超3億份,覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測試等核心環(huán)節(jié),是布局國產(chǎn)替代加速與存儲擴(kuò)產(chǎn)紅利的核心工具。

【Bernstein最新數(shù)據(jù):國產(chǎn)化率躍升至21%,刻蝕/沉積雙龍頭格局強(qiáng)化】

Bernstein于5月底發(fā)布的中國WFE競爭格局報(bào)告顯示,2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備整體自給率從2024年的16%提升至21%,提升幅度達(dá)5個(gè)百分點(diǎn),是自2019年以來年度提升最快的一年??涛g、薄膜沉積、摻雜、過程控制等核心環(huán)節(jié)集體突破,國產(chǎn)替代邏輯正從“政策驅(qū)動(dòng)”走向“技術(shù)成熟+商業(yè)競爭力”的雙輪驅(qū)動(dòng)。

刻蝕與薄膜沉積仍是國產(chǎn)替代主力,國產(chǎn)化率分別達(dá)31%和27%。 刻蝕領(lǐng)域,中微公司與北方華創(chuàng)共同占據(jù)了國內(nèi)廠商約95%的份額,中微在CCP刻蝕領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)先,北方在ICP領(lǐng)域優(yōu)勢穩(wěn)固。薄膜沉積領(lǐng)域,北方華創(chuàng)和拓荊科技是兩大主力,北方在PVD領(lǐng)域保持壟斷地位,拓荊在PECVD領(lǐng)域領(lǐng)先。值得注意的是,中微公司已開始在LPCVD/ALD領(lǐng)域確認(rèn)收入,成為沉積賽道的新興力量,國產(chǎn)設(shè)備龍頭的平臺化競爭正在加劇。

摻雜與過程控制首次突破10%國產(chǎn)化率,邊際改善最顯著。 報(bào)告顯示,摻雜和過程控制環(huán)節(jié)2025年國產(chǎn)化率分別達(dá)到13%和10%,同比增速高達(dá)86%和63%,是增長最快的細(xì)分領(lǐng)域。北方華創(chuàng)首次在摻雜領(lǐng)域確認(rèn)收入,已躋身國內(nèi)第二。過程控制環(huán)節(jié),中科飛測、精測電子等企業(yè)持續(xù)突破,在無圖形晶圓檢測、薄膜量測等領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)批量供貨。國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)的加速追趕,意味著替代空間被進(jìn)一步打開。

【SK海力士375層NAND量產(chǎn)在即,鉬材料導(dǎo)入催化全流程工藝重構(gòu)】

SK海力士已完成375層3D NAND生產(chǎn)驗(yàn)證,計(jì)劃于2026年底前正式投入量產(chǎn)。關(guān)鍵變量在于鉬材料首次導(dǎo)入字線結(jié)構(gòu)。愛建證券深度分析指出,SK海力士在375層產(chǎn)品中開始以鉬部分替代傳統(tǒng)鎢字線材料,以降低電阻、提升器件性能并適應(yīng)400層以上超高堆疊結(jié)構(gòu)需求。

鉬導(dǎo)入本質(zhì)是一次全流程工藝重構(gòu),設(shè)備鏈?zhǔn)芤媛窂角逦?/strong> 愛建證券指出,設(shè)備鏈?zhǔn)芤嬗型?ldquo;沉積及前驅(qū)體輸送—CMP及后清洗—刻蝕—量檢測”路徑傳導(dǎo)。鉬前驅(qū)體為低揮發(fā)性固態(tài)源,與傳統(tǒng)WF6氣態(tài)前驅(qū)體體系差異較大,需新增氣化裝置、溫控管路及精密供氣系統(tǒng);CMP需重新開發(fā)研磨液和研磨墊;清洗需應(yīng)對殘留物及氧化物體系變化。

存儲超級周期驅(qū)動(dòng)擴(kuò)產(chǎn),設(shè)備訂單確定性高。 國元證券援引Omdia數(shù)據(jù),26Q1存儲芯片收入大幅抬升,推動(dòng)全球半導(dǎo)體總收入突破平臺期,存儲板塊的收入彈性明顯強(qiáng)于邏輯、模擬等品類。TrendForce預(yù)計(jì)到2027年HBM晶圓投入量將占DRAM總投入的30%。SK集團(tuán)會長表示,SK海力士將在2034年前將晶圓產(chǎn)能提升至3倍,目前正建設(shè)龍仁4座晶圓廠,第一階段預(yù)計(jì)2027年初完工,并計(jì)劃在日本興建AI工廠。Bernstein報(bào)告特別指出,國內(nèi)存儲客戶已因存儲超級周期大幅上修未來幾年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,先進(jìn)邏輯也將因國產(chǎn)AI芯片需求激增而加速擴(kuò)產(chǎn)。

【先進(jìn)制程與設(shè)備多腔化共振,零部件國產(chǎn)化迎來增量】

愛建證券強(qiáng)調(diào),先進(jìn)制程與設(shè)備多腔化趨勢共振,零部件環(huán)節(jié)同樣受益。隨著薄膜沉積、刻蝕設(shè)備向多腔室、高產(chǎn)出方向演進(jìn),零部件需求種類和數(shù)量同步增加。瑞銀最新預(yù)測將2026年/2027年/2028年全球WFE規(guī)模大幅上調(diào)至1470億美元/1980億美元/2475億美元,2028年WFE有望達(dá)2500億美元。全球半導(dǎo)體行業(yè)利潤率2025年已達(dá)40.9%,2026年有望繼續(xù)擴(kuò)張至61.7%,為設(shè)備資本開支提供堅(jiān)實(shí)支撐。

國內(nèi)設(shè)備商在全球WFE中的份額持續(xù)提升。 Bernstein數(shù)據(jù)顯示,中微公司、盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)三家合計(jì)占中國國內(nèi)WFE的比重從2019年的16.9%升至2025年的25%,預(yù)計(jì)2028年將達(dá)30%。國內(nèi)存儲客戶大幅上修擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,先進(jìn)邏輯加速擴(kuò)產(chǎn),份額提升的故事將是長達(dá)數(shù)年的跑道。

【半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰(159516):一鍵布局國產(chǎn)替代加速+存儲擴(kuò)產(chǎn)雙主線】

國產(chǎn)化率躍升至21%、存儲超級周期驅(qū)動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)、鉬材料導(dǎo)入催化全流程工藝重構(gòu)、先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)加速的多重催化下,半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正迎來“份額提升+工藝升級+需求擴(kuò)張”的三重共振。刻蝕、薄膜沉積、量檢測、摻雜、測試、先進(jìn)封裝等各環(huán)節(jié)均處于景氣上行通道,而涂膠顯影、光刻等低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)更蘊(yùn)藏巨大的替代彈性。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰(159516)跟蹤中證半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù),成分股覆蓋核心設(shè)備龍頭,全面覆蓋從晶圓制造到先進(jìn)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。相較于個(gè)股投資,ETF可有效分散單一技術(shù)路線和客戶驗(yàn)證風(fēng)險(xiǎn)。在國產(chǎn)芯片從“追趕制程”邁向“架構(gòu)引領(lǐng)”的歷史性轉(zhuǎn)折中,半導(dǎo)體設(shè)備ETF國泰(159516)是投資者把握國產(chǎn)芯片創(chuàng)新紅利的優(yōu)選工具。

注:提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析,不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考,不代表其未來表現(xiàn),亦不構(gòu)成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整,不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同,敬請投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件,充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級及收益分配原則,選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品,謹(jǐn)慎投資。

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