截至6月1日收盤，滬指跌0.27%，報(bào)收4057.74點(diǎn)；深成指跌1.51%，報(bào)收15340.36點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌2.15%，報(bào)收3950.94點(diǎn)。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）下跌5.68%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌5.70%

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)漲0.09%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)漲0.42%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.26%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.06%，恩智浦半導(dǎo)體跌3.10%，美光科技漲6.64%，ARM漲15.73%，應(yīng)用材料漲1.80%，微芯科技跌3.31%。

行業(yè)資訊：

1、北京時(shí)間6月1日11:00，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛將在中國臺(tái)北流行音樂中心發(fā)表英偉達(dá)GTC臺(tái)北2026主題演講。黃仁勛表示，今年秋季起，戴爾、聯(lián)想等主流PC品牌將陸續(xù)推出搭載RTX Spark超級(jí)芯片的筆記本及臺(tái)式機(jī)。這款由英偉達(dá)聯(lián)合聯(lián)發(fā)科共同研發(fā)的產(chǎn)品，集成了處理器與顯卡，可運(yùn)行微軟Arm架構(gòu)版Windows系統(tǒng)。

2、美國伊利諾伊大學(xué)厄巴納—香檳分校研究團(tuán)隊(duì)攻破了三維芯片制造領(lǐng)域“最后堡壘”，他們開發(fā)出一種在嚴(yán)格熱預(yù)算限制下，實(shí)現(xiàn)多層高性能單晶硅電路垂直集成的工藝。這項(xiàng)突破解決了因晶體管微縮趨近物理極限而面臨的芯片性能提升難題，為延續(xù)摩爾定律提供了新方向。相關(guān)研究成果發(fā)表于最新一期《自然》雜志。

3、首屆集微存儲(chǔ)論壇在上海張江舉行。與會(huì)嘉賓認(rèn)為，2025年至2027年供需比整體處于供不應(yīng)求狀態(tài)，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)有望持續(xù)，2027年或成為觀察價(jià)格趨勢(shì)的轉(zhuǎn)折之年。AI算力增長由云端訓(xùn)練加速轉(zhuǎn)向端側(cè)推理，為具有低功耗、快速響應(yīng)優(yōu)勢(shì)的利基型存儲(chǔ)（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）帶來新機(jī)遇。疊加三星、SK海力士等國際巨頭紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利的HBM（高帶寬存儲(chǔ)）等產(chǎn)品，相關(guān)國產(chǎn)芯片公司有望迎來新增長。

華泰證券表示，感光干膜作為PCB制造的關(guān)鍵材料，有望伴隨下游景氣持續(xù)增長，AI等領(lǐng)域進(jìn)一步帶動(dòng)高端干膜需求。當(dāng)前感光干膜國產(chǎn)化率較低，伴隨內(nèi)資企業(yè)加速高端領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張以及政策端支持，國產(chǎn)化率未來有望提高，行業(yè)頭部企業(yè)有望受益。