每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-04-17 11:01:04
每經(jīng)AI快訊，4月17日，長(zhǎng)電科技通過(guò)公眾號(hào)宣布，公司成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線(xiàn)（RDL）工藝的晶圓級(jí)射頻集成無(wú)源器件（IPD）工藝驗(yàn)證，通過(guò)測(cè)試結(jié)構(gòu)的試制與實(shí)測(cè)評(píng)估，公司驗(yàn)證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無(wú)源器件的可制造性與性能優(yōu)勢(shì)，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級(jí)封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。
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